月份 獲獎項目 獲獎人
6 2014晶片製作成果發表會 晶片優等設計獎 王登賢、李傑俊(指導教授:王朝欽教授)
6 鄧人豪升等為教授 鄧人豪教授
6 高崇堯升等為教授 高崇堯教授
6 李杰穎升等為副教授 李杰穎副教授
6 周孜燦升等為副教授 周孜燦副教授
6

Thomson Reuters Highly Cited Researcher 2014.
 

翁金輅教授
5 中國電機工程學會高雄市分會103年度「傑出工程教授獎」 李志鵬主任
5

ETS'2014 第七屆電子工程技術研討會-最佳海報論文獎(微電子及VLSI技術組)

林吉聰教授、張政憲、林勃劦、張展翔、曾士權、施銘宗、林旻彥、許宏裴
5

ETS'2014 第七屆電子工程技術研討會-海報佳作論文獎(能源與永續工程技術組)

林吉聰教授、林旻彥、許俊民、黃子豪、曾士權、施銘宗、張政憲、許宏裴、張展翔
5

ETS'2014 第七屆電子工程技術研討會-海報佳作論文獎(微電子及VLSI技術組)

林吉聰教授、張展翔、林勃劦、張政憲、曾士權、施銘宗、林旻彥、許宏裴、陳韻如
5

ETS'2014 第七屆電子工程技術研討會-口頭最佳論文獎(微電子及VLSI技術組)

林吉聰教授、曾士權、林勃劦、張政憲、張展翔、王育群、施銘宗、許宏裴、林旻彥
5 103學年度第一學期外國學生榮獲中山獎學金

莫可立(博士班)、盧振揚(學士班)、胡國偉(學士班)

5 103學年度第一學期外國學生優秀博士生

哈維爾、Mohammed Ansar

5 電機電力國際碩士學程103學年度第一學期國際合作發展基金會獎學金

Orlando、Rolando

5 電機電力國際碩士學程103學年度第一學期外國學生中山獎學金

雷拉蒙、Devita、Martin、Geohanny

 

全訊科技吳昌崙副總經理訪談

對中山系友會的期許

因研究所時期就讀成功大學,當初母系系友會成立時,曾參考成電基金會的運作模式以及各校校友會的組織架構;相對之下成電基金會歷史較為悠久、經費充裕,而當時母系系友會的組織編制還在草創階段,端賴眾多系友熱心的協助與提供建議才步入軌道,為規劃系友會的永續經營,我們將參與系友會活動規劃與募集經費來源採用權能分治的方式,使系友會更加活絡,而目前獎學金的經費來源推行小額捐款,利用「千人千元佰萬助學」活動,以積少成多的想法,在不增加系友的經濟負擔下,讓每位有意願捐贈的系友都能夠持續參與和關注母系的動態。另外為找回系友向心力,林根煌所長在第一屆系友會時期,辦理系友回娘家活動,建立系友網絡,而母系也在102年度成立金心獎以表揚優秀熱忱的學長姊;今年系友會通過「系友在學子女獎學金」辦法,除了回饋系友對系友會的支持,也期望增進母系與系友間的連結;系友會未來將規劃成立國際生獎學金,希望能打響中山電機在國際上的名氣。

強化自我競爭優勢

吳昌崙系友提到自己在學生時代除了加強電機專業領域能力外,在課餘時間也積極參加社團、編輯校刊與校報,從中尋找自己的性向並定位化,而「定位」的定義則區分為人格特質的「主動」或「被動」,例如主動讓公司組織變得更好,並藉由不同層級的經歷與多方的訓練,由工程師思維跳脫到主管視野,才能在眾人中脫穎而出,若習於被動心態則永遠只能被定型於原職務。另外吳昌崙先生期盼學校能重視學生的職業性向分析和終身學習,由正確的能力與性向分析可找到適合的職務,便能把自己的專長發揚光大。人永遠要學習新的事物,並改變自我的價值觀,而價值觀並不來自於工作多有成就感,而是讓所處的環境變更好,若能持續進行前述兩項觀點,不僅能讓自己能力大幅提升進而造福公司和社會。

產學平衡的期許

學界重視的是基礎學能和理論訓練,產業界的目標則是營利,過於強調產學平衡並非良策,學校若成為職前訓練所,或公司變質為研究單位,則兩方的功能與架構將會瓦解,例如:研究型大學若走向建教合作方向,勢必淪為職前訓練所,雖然可與企業界快速接軌,但產業變動快速,原本的新興產業可能在一段時間後淪為夕陽產業,而原先受訓的學生若無多職能學習和後續的生涯規畫,將很難在其他領域生存。社會中有許多不同領域、產業技術的面向,因此大學應提倡的是「通才教育」,提供學生學習各領域的基本知識,以利在職場上能夠找到適合自己的職務或在產業變化時能順利轉業。為消弭產學落差,可尋找最佳的平衡點,像是學校的研究主題可徵求業界幫忙審視避免於學術化,或在論文審查時引介部分業界專家的意見,或建立業界師資制度,而學校可成立專案提供適性的學生至業界實習,或專責單位規劃研發替代役的媒合,這樣長久經營下來兩方可越來越融洽。

學歷:

大學:中山大學電機系

碩士:成功大學電機系

博士:成功大學電機系

現職:

全訊科技股份有限公司-半導體部副總經理
台灣科學工業園區同業公會產學合作與發展委員會召集人

優良事蹟簡述:
第一屆系友會理事

第二屆系友會監事

第三屆系友會理事長

第四屆系友會顧問

 

 

 

新型高效能奈米柱狀結構氧氣感測器應用於早產兒保溫箱監控系統之研製

本計畫是個別型計畫擬分兩年執行,簡述如下:

本計畫擬於矽基板上製備奈米柱狀結構,研製高效能氧氣感測器應用於早產兒保溫箱監控系統,利用奈米柱狀結構大幅增加的感測器表面積,擴大與氧氣接觸的範圍,進而提昇感測能力。早產兒因先天性肺部發展較不健全,故需要較充足的氧氣環境。但目前市售的早產兒保溫箱皆欠缺氧氣感測器的裝備,無法提供更安全保障的照護。因此,感測元件與早產兒保溫箱監控系統的結合,可提供醫護人員做更精確的調整安全照護功能。本計畫擬分兩年進行研究。

第一年為於P型矽基板上,利用熱燈絲化學氣相沉積系統(HWCVD),通入不同流量之甲烷、氫氣成長出非晶碳薄膜作為本質層。另外也使用不同高介電值材料為本質層以作比較。同時使用不同金屬氧化材料(MOx)作為感測層,分析比較以獲得到較佳的元件材料組合。另外,研究各層的最佳厚度,完成多種組合之p-i-n 氧氣感測元件。並利用相關量測儀器如FE-SEMFTIRXRDRamanα-StepTEMAFMHall measurementSIMSFour-Point probe等,作薄膜組織與結構的特性分析,藉此以找到最佳成長品質的薄膜材料。最後,利用HP-4145B 量測元件在不同條件下的I-V 特性,如不同氧氣濃度環境,以及不同操作溫度下。並與未通入氧氣時的電流數據計算獲得靈敏度大小。根據實驗結果篩選最佳生產參數及結構設計,以作為第二年計畫製作奈米柱狀結構氧氣感測器研究的基礎。

第二年則應用第一年所研製高效能氧氣感測器的最佳生產製程參數,結合以濕蝕刻法製備之奈米柱狀結構,藉由調整不同的蝕刻參數,獲得不等長度的奈米結構,完成高性能奈米柱狀結構氧氣感測器。 並進行元件電性、靈敏度、反應時間的分析。量測各種氧氣濃度操作環境的變化,同時與其他反應氣體作選擇性的試驗,也與平面式元件進行比較,以彰顯奈米柱狀結構的效果。

綜合以上所述,本計畫將可研製出具奈米柱狀結構的高效能氧氣感測器,應用於早產兒保溫箱監控系統,加強輔助醫療照護工作。此外,本計劃的實施經驗也可作為工業界開發高效能氧氣感測器應用於環保的參考,以減少工業界研發的時間及成本。因此除具有學術性及技術性的創新,並對於氣體感測器的研發有前瞻性技術突破及提供市場需求的貢獻。

學歷:國立成功大學微電子工程博士

專長:薄膜材料,半導體元件,氣體感測器,光感測器。

經歷:

國立中山大學電機工程學系 助理教授

國立成功大學微電子工程研究所講座計畫助理

行政院體育委員會國家運動選手訓練中心教師

正修科技大學兼任講師

優良事蹟簡述:
斐陶斐榮譽學會榮譽會員

期刊論文:

1 Yong-Shiuan Tsair, Yean-Kuen Fang, Feng-Renn Juang, Yu-Hsiung Wang, Wen-Ting Chu, Yung-Tao Lin and Luan Tran, "A novel method to improve cell endurance window in source-side injection split gate flash memory,"Microelectron. Reliab., Vol. 52, No. 6, pp. 1055-1059, Jun. 2012.
2 Feng-Renn Juang, Hung-Yu Chiu, Yean-Kuen Fang, Kao-Hsien Cho and You-Chi Chen, "An n-SnOx/i-Diamond/p-Diamond Diode with Nano Tip Structure for High Temperature CO Sensing Applications," IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 59, No. 6, pp. 1786-1791, Jun. 2012.
3 Feng-Renn Juang, Yean-Kuen Fang and Hung-Cheng Ho, "Preparation and Characterizations of the High UV Sensitivity Porous Diamond-like Carbon Thin Film MSM Photodiodes," IEEE Sens. J., Vol. 12, No. 5, pp. 978-983, May 2012.
4 Feng-Renn Juang, Yean-Kuen Fang and Hung-Yu Chiu, "Dependence of the Au/SnOx/n-LTPS/Glass Thin Film MOS Schottky Diode CO Gas Sensing Performances on Operating Temperature," Microelectron. Reliab., Vol. 52, No. 2, pp. 425-429, Feb. 2012.

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高介電常數材料與多晶矽界面對互補式薄膜電晶體的特性異常不對稱效應之研究與調變
    薄膜電晶體(
Thin-film transistors, TFTs)早已在平面顯示器領域中廣泛地被應用於像素(Pixel)的開關與驅動元件,且對於主動陣列式(Active-matrix, AM)液晶顯示器(Liquid-crystal display, LCD)與有機發光二極體(Organic light emitting diode, OLED)顯示器的像素品質有極大的影響力。而在矽基通道(Silicon-based channelTFTs的發展中,由於silicon-based材料比其他種類材料相比擁有較成熟的技術以及與超大型積體電路(Very-large-scale integration circuit, VLSI)製程上有很高的相容度,使得silicon-based channel TFTs的發展更進一步地融入至VLSI的應用。
    而在
silicon-based channel材料中,多晶矽(Polycrystalline-silicon, Poly-Si)擁有比非晶矽(Amorphous-Si, a-Si)較大的晶粒尺寸(Grain size),因此Poly-Si的載子遷移率(Carrier mobility)比a-Si好上很多。而在低於600度製程溫度下所製備的多晶矽TFTs又被稱之為低溫多晶矽薄膜電晶體(Low-temperature Poly-Si thin-film transistors, LTPS-TFTs)。

    由於Poly-Si通道內尚有許多的缺陷(defect)存在,而這些defect在電性上會形成電性陷阱(trap)而去捕捉通道內的載子而提高通道內的能位障(Energy barrier height),使得通道內的導電度降低。因此,若要導通Poly-Si內的通道就需要更大量的載子。因此,高介電常數材料(High-k dielectric)閘極絕緣層的使用是最簡單與直接的方式。High-k dielectric材料因為擁有比二氧化矽(SiO2)高達數倍的介電常數(Dielectric constant),因此,在同樣的絕緣層厚度下可提供比SiO2高上好幾倍的閘極電容密度(Gate capacitance density),而此高閘極電容密度在相同的閘極電壓(Gate voltage)下可提供更大量的載子以填補trap以及降低energy barrier height,可以大幅度地降低LTPS-TFTssubthreshold swingthreshold voltage,以及提升驅動電流。

    而在研究使用high-k dielectric閘極絕緣層的LTPS-TFTs的文獻當中,絕大部分的文獻只探討NLTPS-TFTs,或少數文獻只探討PLTPS-TFTs,卻罕有同時討論N型與PLTPS-TFTs的電性比較與影響。然而對於電路設計而言,互補式電晶體的使用為目前之主要電路架構,因此對於SOP3D-IC應用而言,N型與PLTPS-TFTs的電性行為同樣重要,這會強烈影響到在電路中所使用的N型元件與P型元件之元件寬度匹配,如同典型的環形震盪器電路(Ring Oscillator)。而在我們之前的研究中,首次發現到在使用高介電常數材料二氧化鉿(HfO2)為LTPS-TFTs的閘極絕緣層會導致PLTPS-TFTcarrier mobility與驅動電流(driving current)比NLTPS-TFT高一倍以上。此現象完全不同於使用SiO2為閘極絕緣層之LTPS-TFTs所展現的近乎對稱的驅動電流特性以及單晶MOSFETs所展現的N型比P型元件高達兩倍的載子遷移率與驅動電流。此異常不對稱性carrier mobility與驅動電流現象並不能用高閘極電容密度來解釋。而是同時伴隨著Poly-Si通道與閘極絕緣層之間的界面(Poly-Si/high-k interface)特性變化,改變了互補式金氧半低溫多晶矽薄膜電晶體(CMOS LTPS-TFTs)元件的使用與電路設計。因此,同時製作N型與P型元件之互補式LTPS-TFTs以及該如何去刻意生成此界面層與調變此Poly-Si/high-k interface,並找出適合的界面組成元素來達到最佳化的互補式LTPS-TFTs特性。

學歷:交通大學電子所博士

專長:半導體元件物理、VLSI半導體先進製程技術、先進金氧半場效電晶體元件、元件可靠度分析。

現職:國立中山大學電機工程學系助理教授

經歷:聯華電子先進製程開發元件處主任工程師 、聯華電子先進製程開發元件處經理

期刊論文:

1 William Cheng-Yu Ma, Tsung-Yu Chiang, Je-Wei Lin, and Tien-Sheng Chao, "Oxide thinning and structure scaling down effect of low-temperature poly-Si thin-film transistors," IEEE/OSA Journal of Display Technology, Vol. 8, No. 1, pp. 12-17, Jan. 2012.
2 William Cheng-Yu Ma, Tsung-Yu Chiang, Chi-Ruei Yeh, Tien-Sheng Chao, and Tan-Fu Lei, "Channel film thickness effect of low-temperature polycrystalline-silicon thin-film transistors," IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 58, No. 4, pp. 1268-1272, Apr. 2011.
3 Tsung-Yu Chiang, William Cheng-Yu Ma, Yi-Hong Wu, Kuan-Ti Wang, and Tien-Sheng Chao, "A novel p-n-diode structure of SONOS-type TFT NVM with embedded silicon nanocrystals," IEEE Electron Device Lett., Vol. 31, No. 11, pp. 1239-1241, Nov. 2010.
4 Terry Tai-Jui Wang, William Cheng-Yu Ma, Shih-Wei Hung, and Cheng-Tzu Kuo, "Low temperature Ni-nanocrystals-assisted hybrid polycrystalline silicon thin film transistor for non-volatile memory applications," Thin Solid Films, Vol. 518, No. 24, pp. 7429-7432, Oct. 2010.
5 Tsung-Yu Chiang, Yi-Hong Wu, William Cheng-Yu Ma, Po-Yi Kuo, Kuan-Ti Wang, Chia-Chun Liao, Chi-Ruei Yeh, Wen-Luh Yang, and Tien-Sheng Chao, "Characteristics of SONOS-type flash memory with in-situ embedded silicon nanocrystals," IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 57, No. 8, pp. 1895-1902, Aug. 2010.

6

Terry Tai-Jui Wang, Pei-Ling Gao, William Cheng-Yu Ma, and Cheng-Tzu Kuo, "Low-temperature polycrystalline silicon thin film transistor nonvolatile memory using Ni nanocrystals as charge-trapping centers fabricated by hydrogen plasma process," Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 49, No. 6, pp. 06GG151, Jun. 2010.

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江安學長在演講中表示,在中山念書的期間,對電機的領域無特別深入,反倒對樂團、戲劇、策畫藝術活動,特別有興趣,從這些課外事務,培養編寫企劃書的能力、設計燈光佈景場地規劃,運輸交通安排,後來為了實現到國外研讀電影相關領域,不斷地精進自己的第二語言-英文,選修外文系課程、接待外國賓客、在PUB打工與外籍人士聊天,因為英文能力的提升,進了模特兒經紀公司,接觸到管理與銷售業務,亦開始拓展人脈關係,經兩、三年的磨練,獨自成立模特兒經紀公司,卻因為資金調度不易,索性將公司收掉,但也學習到如何與客戶互動及公司營運的經驗。

在結束模特兒經紀公司之後,江安學長在美國因緣際會下遇到以前朋友介紹電路板設計公司,重回歸電機領域;為了增進自我實力與經驗,彌補自己的不足,除完成手邊工作同時也幫忙同事業務,因過去曾 為
Intel公司設計電路經驗, 後來Intel公司 招聘員工時,面試官主動電話邀約江安學長面試並希望能加入Intel的團隊。

江安學長提到在Intel公司,人人都是名校碩博士畢業,要如何從中脫穎而出,除了將完成自己的專案,學習新的軟件,新的科技,還須做額外的貢獻,例如把學會的事務總結給大家,讓一個 團隊不用額外花時間學習並提升組織的水準,發現公司設計流程有問題,改善問題增進公司流程,這都是對公司有貢獻的事務。

另外江安學長特別提出,做事的態度與扎實度及操守非常重要,腳踏實地的去做,想的角度廣一點,這些都是升遷時所具備的要件,最後他提醒同學,前途是自己尋找的,檢視自我的想法,擬定好未來方向與目的,知道目標後就努力實踐,不要尋找任何藉口停留,一定要加強自己的英文與自我訓練,以備不時之需。

首屆電機系、企管系、中文系、外文系四系系友於103年6月14日聯合舉辦「國立中山大學第一屆校友畢業三十年回娘家」活動,本系藉由這次機會邀請73級系友與第三屆系主任周肇基教授回系館暢談古今,系上師長-盧展南學術副校長、工學院陳英忠院長、李錫智處長與 目前在校任教的系友-林根煌所長、邱日清教授、鄧人豪教授與陳有德教授也特地到場與會。

活動開場,周肇基主任特地將當年作業成績單供當年學生領回並將珍藏已久的首屆畢業紀念冊傳遞給系友們簽名留念,現場各位系友開始互相交頭接耳地暢談當年交作業的趣事與開心地比對 昔日畢業冊舊照片中人物是否依舊年輕,從系友與師長間熱絡的互動,讓人感受到深厚的師生情誼與同學間的好交情。

回到久違的校園,每位系友內心都有不同的懷念,像是中山大學附近的景點與小吃-西子灣、渡船頭、大碗公冰都是中山人共同的回憶,黃明三系友談到:「環境的影響很重要,由於我們是中山的開路先鋒,在中山的四年除培養專業能力,同時潛在培養出創新的精神與執行力的運用,在職場上非常受用。」,陳嘉宏、楊志奕系友同時表達:「中山人才濟濟,人際關係非常重要,在職場上會特別關注中山的校友,期盼系友能多多支持母校。」,活動召集人之一的雷光明系友與施明道系友也表達,「目前希望不管是30年還是60年,在工作之餘都能再度與各位齊聚一堂。」

學校提供校友資訊與資源非常多元,工學院陳英忠院長表示:「工學院每年推舉傑出校友,並積極推行系友會活動,期盼各位系友能踴躍參與。」,盧展南學術副校長與林根煌所長提出:「校方有提供校非常好的設備與資源,像是系友會館西子樓、沙灘會館與海景餐廳,希望各位系友能常與母校互動,使校友能與母校產生緊密的聯結,並多給予中山支持與關注。」

每年七月的第三個禮拜訂為系友回娘家的日子,這次邀請88級與98級系友回中山電機系相聚;系友會施文宗理事長、夏郭賢顧問、吳昌崙顧問、蕭佳明理事、系主任李志鵬教授、師長林根煌所長、邱日清教授皆到場參加。

首先施文宗理事長 提到系友會已成立多項獎學金,例如:在校生獎助學金、優秀高中生獎學金、系友在校子女獎學金,目的在於幫助在學學生與回饋畢業系友,讓系友與中山電機的關係更長久與緊密並希望能夠凝聚大家的力量持續響應「千人千元獎助學金活動」使活動能夠細水長流,滴水成海,也感謝在李 志鵬主任的努力,讓中山的排名往上提升,未來我們也將積極推動加強產官學的合作。林根煌所長、夏郭賢顧問與吳昌崙顧問也表達:今年是73系級系友畢業30周年,6月14日73級系友都從各地返校參與畢業30周年系友回娘家活動,希望透這個平台聯繫系友間感情及媒合人才,拔擢中山的學弟妹,並將中山電機視為自己的第二個家。

李志鵬主任提到希望能將中山電機系的排名向上提升,並感謝系友會的努力,成立優秀高中生獎學金,除幫助南部地區高中生安心就讀,並鼓勵他們能選讀本系,另外2012與2013年寒假,邱日清教授主導電機實驗及暑假由系學會主辦的電機營以及近兩年辦理全國LED創意設計競賽,都是期盼能吸引高中生就讀中山電機系,希望在大家的努力之下,能將中山電機系的榮耀更加輝煌。

在理事長與各位老師介紹系與系友會的近況後,接著頒發第二屆金心獎與103年度系友會優秀獎學金得獎人,金心獎的創立係表揚在各領域卓越貢獻的畢業系友,分別由在中山大學服務多年的73級與現任遠東科技大學資訊工程系副教授兼電資學院院長74級夏郭賢系友以及明技企業有限公司董事長75級系友曾見吉系友獲得,而優秀獎學金係獎勵在校優秀的學生,得獎者為田又豪、溫達乾、侯建和與謝定寰同學,其中金心獎得獎者邱日清教授提到:業界都很肯定中山畢業校友的訓練,希望未來88級與98級系友能將業界所學的經驗可以回饋給母系,讓我們傳播交接給下一代學弟妹。

活動的最後邀請系友自我介紹,暢談離校後就業的情況與對中山未來的期許,像是98級郭鳳枝系友提到出社會後深覺自己專業知識可以再升上一層,目前則在成大攻讀研究所,88級何佳琮系友則說畢業十五年從一名工程師轉換到協助整個公司的概況,在於積極度也希望往後能夠與中山多多聯繫,最後歷年的傳統「系友與師長大合照」,讓活動留下完美的句點。

本系於10367日下午舉行103年畢業典禮歡送會,邀請畢業生家長前往觀禮,系主任李志鵬教授、系友會施文宗理事長與四甲班導莊子肇教授皆到場參與,首先由施文宗理事長頒發系友會獎學金與系友會優秀獎學金,由張豐丞同學、范雨辰同學、林子欽同學、鄧紹銘同學及張馥麟同學分別獲得新台幣五萬元與一萬元獎學金,接著頒發電機系系友會代表證書-甲班林子欽、范雨辰同學與乙班紀柏阡、楊易軒同學,另外為感謝許善妮、張庭禎、林子欽、張政文、宋嘉龍同學對本屆畢業冊用心地編輯及系學會會長鄒廷東同學的付出,本系李志鵬主任親自頒發感謝狀,感謝諸位畢業生對電機系的付出,典禮的最後則由莊子肇教授親自為每位畢業生撥帽穗,勉勵畢業 生在學有所成後,展翅高飛。
 
為展現畢業生在校4年所培養的電機與通訊之創新思考、智能,本系特別舉辦 「工學院電機與通訊畢業成果展示會」,並邀請家長及業界與會指導,為畢業生在學習生涯中畫下人生中一個令人讚嘆的逗點,並開啟人生另一段嶄新的旅程,本次展示會共計有33組作品參加,其中計有20組實體作品參展;有別於以往的活動這次新增最佳人氣獎,分別由邱日清教授與陳志堅教授所指導的學生囊括前五名,得獎名單以下為李仁成同學、張軼勝同學、李泰伊同學、侯建和同學與黃晟育同學,並於畢業典禮歡送會中由莊子肇教授頒發新台幣兩千元獎金。

國研大樓原於2009年1月發包,整棟大樓地上6層、地下1層、樓地板面積約4,500坪,建造經費計新台幣3億8,600萬元整。惟2011年8月因原統包廠商不履行契約,本校依法終止契約並在2012年完成接續工程之設計,隔年6月重新發包,自2013年8月1日開工至今,整體施工進度已達60%,預計秋季能如期如質完成,因接續工程復工,總務處與建商 特地聯合舉辦「工地圍籬彩繪比賽」,除增添工地色彩與美化校園環境,也發現學生創意無限,亦希望藉由這場比賽,期盼學生能多加關心校園事務。

2013年4月16日舉行上樑儀式,由楊弘敦校長親自主持,並邀請行政副校長吳濟華、前行政副校長鄭英耀、總務長黃義佑、前總務長李賢華、亞新工程顧問公司經理陳哲中、築宇建築師事務所建築師孫培鈞、順裕營造有限公司董事長董嘉雄,共同見證歷史性的一刻;楊弘敦校長特別感謝所有同仁的協助與努力,尤其是總務處同仁的競競業業的付出,國研大樓先前已規劃由光電系、生醫所、國際交流處、英語自學中心、貴儀中心與醫科所進駐,近期楊弘敦校長將召開空間規劃委員會討論國研大樓空間運用之規劃。

楊弘敦校長也期盼國研大樓能有效協助本校師生同仁學術交流與合作,成為中山大學邁入世界頂尖大學排名前兩百大行列的指標,促進本校與地方社會之連結

 

職務名稱 公司名稱 學歷要求 工作地點 截止日期
IC測試設計研發工程師 惇智科技 學士/碩士 高雄  
設備工程師 益通光能科技股份有限公司 學士 台南  
專任教師 中山大學電機工程學系 博士 高雄 8/31
EPR資訊工程師 中冠資訊 學士/碩士 高雄